RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3372
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link