RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3372
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link