RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2548
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link