RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2489
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link