RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
54
Wokół strony -218% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3695
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link