RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
63
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
18
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3601
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link