RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
22.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3871
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link