RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2570
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link