RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3014
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link