RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2960
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link