RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2898
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link