RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
63
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2204
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link