Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 63

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.1 8.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 40
Скорость чтения, Гб/сек

8.1 13.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1945 2204

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM