RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
63
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
39
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2245
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link