RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3236
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link