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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
3236
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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