RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3352
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link