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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
3352
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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