RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3772
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link