RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3772
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link