RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
60
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2359
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link