RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
60
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2359
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link