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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
60
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
11.0
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
2359
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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