Comparación de la memoria RAM SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Puntuación global

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

37 60

En 38% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.3 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.0 7.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 14900

En 1.72 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2065 2359

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns