RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3139
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link