RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
49
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
22
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3139
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link