RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3139
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link