RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3255
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
INTENSO M418039 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link