RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link