RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology HYQVF1B16 2GB
Mushkin 996902 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link