RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
21.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
4394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link