RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
21.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
4394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link