RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
51
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2314
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link