RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3007
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link