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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.0
16.6
写入速度,GB/s
8.2
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3007
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
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