RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2719
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link