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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Teclast TLD416G26A30 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Teclast TLD416G26A30 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2719
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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