RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Teclast TLD416G26A30 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teclast TLD416G26A30 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2719
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link