RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2938
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link