RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3199
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link