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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
7.3
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2938
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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