RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2911
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link