RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3553
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link