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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3553
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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