RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3553
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link