RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2481
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link