RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2481
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link