RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2416
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link