RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3192
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link