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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3192
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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