RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
4044
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link