RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1724
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link