RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
29
43
Prędkość odczytu, GB/s
9.6
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1204
1393
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link