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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 43
    En 33% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 6.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.6 left arrow 11.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.7 left arrow 7.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1204 left arrow 1393

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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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Memoria RAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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Memoria RAM
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Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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Memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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