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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Compara
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En 33% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
43
Velocidad de lectura, GB/s
9.6
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1204
1393
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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