SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 43
    Por volta de 33% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21% maior largura de banda
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11 left arrow 9.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.2 left arrow 6.7
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    29 left arrow 43
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.6 left arrow 11.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    6.7 left arrow 7.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1204 left arrow 1393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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